CaF<sub>2</sub>/Si 量子ドット超格子を用いたp-i-n セル構造の光電変換特性 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	CaF₂/Si 量子ドット超格子を用いたp-i-n セル構造の光電変換特性
英文:	Photovoltaic characteristics of p-i-n cell structures using CaF₂/Si quantum-dot superlattice

著者

和文:	小池進, 渡辺正裕.
英文:	S.Koike, M.Watanabe.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

19p-A2-13 16-024

出版年月

2013年9月19日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第74回応用物理学会学術講演会
英文:	The 74nd Autumn Meeting of The Jpn. Soc. Of Appl. Phys

開催地

和文:	京都府
英文:	Kyoto

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