Retention characteristics of resistance switching memory using Si/CaF<sub>2</sub>/CdF<sub>2</sub> quantum-well structures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Retention characteristics of resistance switching memory using Si/CaF₂/CdF₂ quantum-well structures

著者

和文:	渡辺正裕, Kazuya Uryu.
英文:	Masahiro Watanabe, Kazuya Uryu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

P-9-14 350-351

出版年月

2011年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

開催地

和文:
英文:	Nagoya