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論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
Resistance switching memory characteristics of Si/CaF
2
/CdF
2
quantum-well structures grown on metal (CoSi
2
) Layer
著者
和文:
J. Denda, K. Uryu,
渡辺 正裕
.
英文:
J. Denda, K. Uryu,
M. Watanabe
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
巻, 号, ページ
PS-9-6 310-311
出版年月
2012年9月
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
The 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
開催地
和文:
英文:
Kyoto
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