Advantage of TiN Schottky Gate over Conventional Ni for Improved Electrical Characteristics in AlGaN/GaN HEMT,

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Advantage of TiN Schottky Gate over Conventional Ni for Improved Electrical Characteristics in AlGaN/GaN HEMT,

著者

和文:	川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋.
英文:	Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, 片岡好則, 西山彰, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年

出版者

和文:
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会議名称

和文:
英文:	The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39

開催地

和文:
英文: