Highly Scalable La2O3 /InGaAs Gate Stack with Low Interface State Density

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Highly Scalable La2O3 /InGaAs Gate Stack with Low Interface State Density

著者

和文:	ダリューシュザデ, 大嶺洋, 角嶋邦之, 岩井洋.
英文:	ダリューシュザデ, Hiroshi Oomine, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年

出版者

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会議名称

和文:
英文:	The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39

開催地

和文:
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