CaF<sub>2</sub>/Si 量子ドット超格子を用いたp-i-n セル構造の作製 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	CaF₂/Si 量子ドット超格子を用いたp-i-n セル構造の作製
英文:	Fabrication of p-i-n cell structures using CaF₂/Si quantum-dot superlattice

著者

和文:	渡辺正裕.
英文:	MASAHIRO WATANABE.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

31a-ZH-5 16-005

出版年月

2011年8月31日

出版者

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会議名称

和文:	第72回応用物理学会学術講演会
英文:	The 72nd Autumn Meeting of The Jpn. Soc. of Appl. Phys

開催地

和文:	山形
英文:	Yamagata

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