La2O３ gate dielectrics for InGaAs channel using ALD process

論文・著書情報

タイトル

和文:	La2O３ gate dielectrics for InGaAs channel using ALD process
英文:

著者

和文:	大嶺洋, ｻﾞﾃﾞﾊｻﾝﾀﾞﾘﾕｰｼﾕ, 角嶋邦之, 岩井洋.
英文:	Hiroshi Oomine, DARYOUSH ZADEH, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	最先端研究開発支援プログラム(FIRST)採択課題「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
英文:

開催地

和文:
英文: