600 V Diamond Junction Field-Effect Transistors Operated at 200 °C

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	600 V Diamond Junction Field-Effect Transistors Operated at 200 °C

著者

和文:	岩崎孝之, 矢板潤也, Hiromitsu Kato, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Daisuke Takeuchi, Hideyo Okushi, Satoshi Yamasaki, 波多野睦子.
英文:	Takayuki Iwasaki, Junya Yaita, Hiromitsu Kato, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Daisuke Takeuchi, Hideyo Okushi, Satoshi Yamasaki, Mutsuko Hatano.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Electron Device Lett.

巻, 号, ページ

Vol. 35 pp. 241-243

出版年月

2014年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI