Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価 
英文: 
著者
和文: 長谷川淳一, 須藤建瑠, 岩崎孝之, 小寺哲夫, 古橋壮之, 野口宗隆, 中田修平, 西村正, 波多野睦子.  
英文: Junichi Hasegawa, Takeru Suto, Takayuki Iwasaki, Tetsuo Kodera, 古橋壮之, 野口宗隆, 中田修平, 西村正, Mutsuko Hatano.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2014年9月18日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第75回応用物理学会秋季学術講演会 
英文: 
開催地
和文:札幌 
英文: 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.