Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:酸素ラジカル支援PLD法による β-(AlxGa1-x)2O3薄膜の作製 
英文:Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-(AlxGa1-x)2O3 alloy films 
著者
和文: 若林 諒, 服部 真依, 大島 孝仁, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明.  
英文: R. Wakabayashi, M. Hattori, T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2014年12月12日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第1回E-MRS/MRS-Jジョイントシンポジウム 透明酸化物デバイスの新展開 
英文:The 1st E-MRS/MRS-J Bilateral Symposia -Materials Frontier for Transparent Advanced Electronic 
開催地
和文:横浜 
英文:Yokohama 
公式リンク https://www.mrs-j.org/meeting2014/jp/
 
アブストラクト 酸化ガリウムのデバイス応用を目指しβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜成長を行った。Ga前駆体の高い蒸気圧が組成制御上の問題になっていた。本研究では、酸素ラジカルを用いたPLD法を行うことによって前駆体の蒸発を抑え、Al組成制御性の高いβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜成長が可能であること示した。

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.