Comparative study of power-gating architectures for nonvolatile FinFET-SRAM using spintronics-based retention technology

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Comparative study of power-gating architectures for nonvolatile FinFET-SRAM using spintronics-based retention technology

著者

和文:	周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡.
英文:	Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2015年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	18th Design, Automation and Test in Europe (DATE15)

開催地

和文:
英文:	Grenoble