0.5V operation and performance of nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	0.5V operation and performance of nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture

著者

和文:	周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡.
英文:	Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2014)

開催地

和文:
英文:	Yokohama, Kanagawa