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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Sequential write-read operations in FeRh antiferromagnetic memory 
著者
和文: T. Moriyama, N. Matsuzaki, K-J. Kim, 鈴木 一平, 谷山 智康, T. Ono.  
英文: T. Moriyama, N. Matsuzaki, K-J. Kim, I. Suzuki, T. Taniyama, T. Ono.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Appl. Phys. Lett. 
巻, 号, ページ vol. 107    No. 12    pp. 122403 1-4
出版年月 2015年9月21日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 
DOI https://doi.org/10.1063/1.4931567

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