高品質InGaAs MOS界面形成のためのInGaAs表面制御についての研究 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	高品質InGaAs MOS界面形成のためのInGaAs表面制御についての研究
英文:	Study on InGaAs surface control for realizing high quality InGaAs MOS interfaces

著者

和文:	星井拓也.
英文:	Takuya Hoshii.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	日本

言語

Japanese

学位授与組織

東京大学

報告番号

学位授与日

2011/03/24

審査員

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.