室温でのレーザープロセスを用いたワイドバンドギャップM2O3 (M=Al, Ga)薄膜のエピタキシャル成長に関する研究

論文・著書情報

タイトル

和文:	室温でのレーザープロセスを用いたワイドバンドギャップM2O3 (M=Al, Ga)薄膜のエピタキシャル成長に関する研究
英文:	Study on Epitaxial Growth of Wide-Band-Gap M2O3 (M=Al, Ga) Thin Films by Room-Temperature Laser Processing

著者

和文:	塩尻大士.
英文:	Daishi Shiojiri.

種別

種別:	学位論文(博士)要約
国名:	日本

言語

Japanese

学位授与組織

東京工業大学

報告番号

甲第10181号

学位授与日

2016/03/26

審査員

吉本護, 舟窪浩, 北本仁孝, 和田裕之, 松田晃史.

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