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論文・著書情報


タイトル
和文:Zn1-xMgxOバッファー層によるCu(In,Ga)S2薄膜太陽電池の変換効率改善 
英文:Improvement of efficiency of Cu(In,Ga)S2 thin-film solar cells by Zn1-xMgxO buffer layer 
著者
和文: 廣井誉, 岩田恭彰, 杉本広紀, 山田明.  
英文: Homare Hiroi, Yasuaki Iwata, Hiroki Sugimoto, Akira Yamada.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2016年3月19日 
出版者
和文:応用物理学会 
英文:The Japan Society of Applied Physics 
会議名称
和文:第63回応用物理学会春季学術講演会 
英文:The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016 
開催地
和文:東京 
英文:Tokyo 
公式リンク https://confit.atlas.jp/guide/event/jsap2016s/subject/19p-W541-6/date?cryptoId=
 
アブストラクト SeフリーCu(In,Ga)S2は、カルコゲナイド系薄膜太陽電池の中でもH2Seガスを用いずに作製出来る為、将来的に低コスト化が見込まれる太陽電池材料として有望である。本件は、更なる低コスト化及び安全性向上の観点から、KCN及びCdを使用せずに作製したSeフリーCu(In,Ga)S2薄膜太陽電池に関する発表であり、今回、Zn1-xMgxO を用いたCdフリーバッファー層に焦点を当て、特にZn1-xMgxOバッファー層のMg量における電池パラメーターへの依存性が明らかとなった為報告する。
受賞情報 第40回（2016年春季）応用物理学会講演奨励賞受賞

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