“パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	“パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成
英文:

著者

和文:	須藤建瑠, 矢板潤也, 岩崎孝之, 波多野睦子.
英文:	Takeru Suto, Junya Yaita, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2016年3月20日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第63回応用物理学会春季学術講演会
英文:

開催地

和文:	東京
英文:

アブストラクト

3月20日発表

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.