Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Highly beryllium-doped GaInAs grown by chemical beam epitaxy 
著者
和文: Toshi K. Uchida, Takashi Uchida, Noriyuki Yokouchi, 小山 二三夫, 伊賀 健一.  
英文: Toshi K. Uchida, Takashi Uchida, Noriyuki Yokouchi, Fumio Koyama, Kenichi Iga.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Japanese Journal of Applied Physics 
巻, 号, ページ Vol. 29-2    No. 12    pp. L2146-L2148
出版年月 1990年12月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.