室温レーザーアニールによるβ-Ga2O3薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響

論文・著書情報

タイトル

和文:	室温レーザーアニールによるβ-Ga₂O₃薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響
英文:	Influence of NiO buffer layer on solid phase epitaxy of β-Ga₂O₃ thin films by laser annealing at room temperature

著者

和文:	中村稀星, 内田啓貴, 土嶺信男, 小山浩司, 金子智, 松田晃史, 吉本護.
英文:	Kisho Nakamura, Hiroki Uchida, Nobuo Tsuchimine, Koji Koyama, Satoru Kaneko, Akifumi Matsuda, MAMORU YOSHIMOTO.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第77回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
英文:	The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016 Extended Abstracts

巻, 号, ページ

出版年月

2016年9月1日

出版者

和文:	公益社団法人応用物理学会
英文:	The Japan Society of Applied Physics

会議名称

和文:	第77回応用物理学会秋季学術講演会
英文:	The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

開催地

和文:	新潟県新潟市
英文:	Niigata City

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