PLD法を用いたβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜成長のNiOバッファー層導入による低温化

論文・著書情報

タイトル

和文:	PLD法を用いたβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜成長のNiOバッファー層導入による低温化
英文:	NiO buffer layer enhanced low-temperature epitaxial growth of β-Ga₂O₃ thin films by PLD

著者

和文:	福田大二, 塩尻大士, 山内涼輔, 土嶺信男, 金子智, 松田晃史, 吉本護.
英文:	Daiji Fukuda, daishi shiojiri, Ryosuke Yamauchi, Nobuo Tsuchimine, Satoru Kaneko, Akifumi Matsuda, MAMORU YOSHIMOTO.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第62回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
英文:	The 62th JSAP Spring Meeting, 2015 Extended Abstracts

巻, 号, ページ

出版年月

2015年2月26日

出版者

和文:	公益社団法人応用物理学会
英文:	The Japan Society of Applied Physics

会議名称

和文:	第62回応用物理学会春季学術講演会
英文:	The 62th JSAP Spring Meeting, 2015

開催地

和文:	神奈川県平塚市
英文:	Hiratsuka City

公式リンク