Effect of Gate Oxide Process at SiC-MOS Interface on Threshold Voltage Shift Analyzed by DLTS

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of Gate Oxide Process at SiC-MOS Interface on Threshold Voltage Shift Analyzed by DLTS

著者

和文:	長谷川淳一, M. Noguchi, M. Furuhashi, S. Nakata, 岩崎孝之, 小寺哲夫, T. Nishimura, 波多野睦子.
英文:	J. Hasegawa, M. Noguchi, M. Furuhashi, S. Nakata, T. Iwasaki, T. Kodera, T. Nishimura, M. Hatano.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年9月10日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)

開催地

和文:
英文:	Tsukuba