光誘起歳差運動を組み込んだマッハツェンダー型全光デバイスの設計

道廣健斗; 岩崎大和; 西沢望; 宗片比呂夫; 西林一彦

論文・著書情報

タイトル

和文:	光誘起歳差運動を組み込んだマッハツェンダー型全光デバイスの設計
英文:	An all-optical MZI device with photo-excitation of magnetization

著者

和文:	道廣健斗, 岩崎大和, 西沢望, 宗片比呂夫, 西林一彦.
英文:	Kento Michihiro, Yamato Iwasaki, Nozomi Nishizawa, Hiro Munekata, Kazuhiro Nishibayashi.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	予稿集
英文:

巻, 号, ページ

p. 03-536

出版年月

2017年3月14日

出版者

和文:	公共社団法人応用物理学会
英文:

会議名称

和文:	第64回応用物理学会春季学術講演会
英文:	The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

開催地

和文:	Japan
英文:	横浜

アブストラクト

我々は磁性体磁化の光励起歳差運動を利用したスピンメモリの機能を持つ全光デバイスの開発を行っている。これは、マッハツェンダー型光変調器に組み込んだメモリ磁性体の磁化状態を光変調させることで動作する。今回、メモリ部のCo/Pd多層膜による非相反位相シフト量を構造パラメータから最適化した。そして磁化状態変化による全光デバイスの出力光の変化に関する時間波形のシミュレーションを行った。

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