New power-gating architectures using nonvolatile retention: Comparative study of nonvolatile power-gating (NVPG) and normally-off architectures for SRAM

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	New power-gating architectures using nonvolatile retention: Comparative study of nonvolatile power-gating (NVPG) and normally-off architectures for SRAM

著者

和文:	周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡.
英文:	Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

8-1

出版年月

2016年3月28日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	29th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)

開催地

和文:
英文:	Yokohama