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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Nonvolatile Power-gating Architecture for SRAM using SOTB Technology 
著者
和文: 周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡.  
英文: Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2016年6月12日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2016) 
開催地
和文: 
英文:Honolulu 

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