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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Analysis of Break-Even Time for Nonvolatile SRAM with SOTB Technology 
著者
和文: 北形 大樹, 周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡.  
英文: D. Kitagata, Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ 4B-5       
出版年月 2017年2月28日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:Electron Device Technology and Manufacturing Conference 
開催地
和文: 
英文:Toyama 

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