Si(111)√3×√3-B表面におけるBサイト点欠陥効果の第一原理計算 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si(111)√3×√3-B表面におけるBサイト点欠陥効果の第一原理計算
英文:

著者

和文:	戸成健, 浜田翔悟, 合田義弘.
英文:	戸成健, 浜田翔悟, Yoshihiro Gohda.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2016年3月19日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	日本物理学会第71回年次大会
英文:

開催地

和文:	宮城県
英文:

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