Si上半導体薄膜DR レーザの高効率・高速変調特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si上半導体薄膜DR レーザの高効率・高速変調特性
英文:

著者

和文:	中村なぎさ, 冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 福田快, 瓜生達也, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久.
英文:	Nagisa Nakamura, Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Kai Fukuda, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

No. 7a-A504-10

出版年月

2017年9月

出版者

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会議名称

和文:	第78回応用物理学会秋季学術講演会
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開催地

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