PLD法による正方晶(Bi, K)TiO3エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性に与える影響

論文・著書情報

タイトル

和文:	PLD法による正方晶(Bi, K)TiO3エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性に与える影響
英文:

著者

和文:	根本祐一, 佐藤智也, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 内田寛, 木口賢紀, 佐藤祐介, 山岡和希子, 舟窪浩.
英文:	根本祐一, Tomoya Sato, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, 佐藤祐介, 山岡和希子, HIROSHI FUNAKUBO.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2017年1月12日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第55回セラミックス協会基礎科学討論会
英文:

開催地

和文:	岡山市
英文: