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論文・著書情報


タイトル
和文:SiCパワーデバイスの特性に結晶欠陥や界面準位が与える影響に関する研究 
英文:Study of the influence of crystal defects and interface traps on SiC power device characteristics 
著者
和文: 長谷川淳一.  
英文: Junichi Hasegawa.  
種別
種別:学位論文(博士)審査の要旨 
国名:Japan 
言語 English 
学位授与組織 Tokyo Institute of Technology 
報告番号 甲第10478号 
学位授与日 2017/03/26 
審査員  
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