Ga添加型Nd焼結磁石界面に対する第一原理的研究 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Ga添加型Nd焼結磁石界面に対する第一原理的研究
英文:

著者

和文:	立津慶幸, 合田義弘.
英文:	Y. Tatetsu, Yoshihiro Gohda.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年4月2日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	物性研究所スパコン共同利用・CCMS合同研究会「計算物質科学の今と未来」
英文:

開催地

和文:	千葉県
英文:

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.