ECR-MBE法で作製したSi基板上GaN薄膜(t&lt;200nm)の高品質化への試み ―作製プロセスの見直しとその検討―

論文・著書情報

タイトル

和文:	ECR-MBE法で作製したSi基板上GaN薄膜(t<200nm)の高品質化への試み ―作製プロセスの見直しとその検討―
英文:	Technical trial into higher crystalline quality of GaN films grown on Si substrates by ECR-MBE under reduced plasma damage -reconsideration of growth process and examination-

著者

和文:	淀徳男, 井上直哉, 塩尻大士, 譚ゴオン, 熊谷典子, 松田晃史, 吉本護.
英文:	Tokuo Yodo, Naoya Inoue, daishi shiojiri, Geng Tan, Noriko Kumagai, Akifumi Matsuda, MAMORU YOSHIMOTO.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年3月27日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
英文:	The 60th JSAP Spring Meeting, 2013

開催地

和文:	厚木
英文:	Atsugi

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