Analyses of 3D atomic arrangements of impurity atoms doped in silicon by spectro-photoelectron holography technique

論文・著書情報

タイトル

和文:	Analyses of 3D atomic arrangements of impurity atoms doped in silicon by spectro-photoelectron holography technique
英文:	Analyses of 3D atomic arrangements of impurity atoms doped in silicon by spectro-photoelectron holography technique

著者

和文:	Tsutsui, K., Matsushita, T., Muro, T., Morikawa, Y., Natori, K., Hoshii, T., Kakushima, K., Wakabayashi, H., Hayashi, K., Matsui, F., Kinoshita, T., 星井拓也.
英文:	Tsutsui, K., Matsushita, T., Muro, T., Morikawa, Y., Natori, K., Hoshii, T., Kakushima, K., Wakabayashi, H., Hayashi, K., Matsui, F., Kinoshita, T., Takuya Hoshii.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	2018 18th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2018
英文:	2018 18th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2018

巻, 号, ページ

Vol. 2018-January pp. 1-6

出版年月

2018年

出版者

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会議名称

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開催地

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