Formation of Mo&lt;inf&gt;2&lt;/inf&gt;C electrodes using stacked sputtering process for thermally stable SiC Schottky barrier diodes

論文・著書情報

タイトル

和文:	Formation of Mo<inf>2</inf>C electrodes using stacked sputtering process for thermally stable SiC Schottky barrier diodes
英文:	Formation of Mo<inf>2</inf>C electrodes using stacked sputtering process for thermally stable SiC Schottky barrier diodes

著者

和文:	Kakushima, K., Suzuki, T., Hoshii, T., 宗田伊理也, Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Nohira, H., 星井拓也.
英文:	Kakushima, K., Suzuki, T., Hoshii, T., Iriya Muneta, Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Nohira, H., Takuya Hoshii.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017
英文:	17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017

巻, 号, ページ

pp. 81-82

出版年月

2017年

出版者

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会議名称

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開催地

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