Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs

著者

和文:	濱田拓也, 向井勇人, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, 黒岩宏紀, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生.
英文:	Takuya Hamada, Hayato Mukai, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, Hiroki Kuroiwa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, Kazuo Tsutsui.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年11月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)

開催地

和文:
英文:	Kanazawa

受賞情報

Student Award