Back-gate effect on p-channel GaN MOSFETs on Polarization-Junction Substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Back-gate effect on p-channel GaN MOSFETs on Polarization-Junction Substrate

著者

和文:	星井拓也, 高山留美, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生.
英文:	Takuya Hoshii, Rumi Takayama, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2017年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2017)

開催地

和文:
英文:	Sendai