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論文・著書情報


タイトル
和文:真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 
英文: 
著者
和文: 後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎.  
英文: Takahiro Gotow, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:電子情報通信学会技術研究報告 信学技報 
英文: 
巻, 号, ページ vol. 113    no. 176    pp. 37-42
出版年月 2013年8月1日 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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英文: 

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