Low power Tunneling FET technologies using Ge/III-V materials

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Low power Tunneling FET technologies using Ge/III-V materials

著者

和文:	Shinichi Takagi, Daehwan Ahn, Munetaka Noguchi, Sanghee Yoon, 後藤高寛, Kouichi Nishi, Minsoo Kim, Taeeon Bae, Takumi Katoh, Ryo Matsumura, Ryotaro Takaguchi, Mitsuru Takenaka.
英文:	Shinichi Takagi, Daehwan Ahn, Munetaka Noguchi, Sanghee Yoon, Takahiro Gotow, Kouichi Nishi, Minsoo Kim, Taeeon Bae, Takumi Katoh, Ryo Matsumura, Ryotaro Takaguchi, Mitsuru Takenaka.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	ECS Transactions

巻, 号, ページ

80 4 115-124

出版年月

2017年10月

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

和文:
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DOI