Improvement of p-type GaAs0.51Sb0.49 metal-oxide-semiconductor interface properties by using ultrathin In0.53Ga0.47As interfacial layers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improvement of p-type GaAs0.51Sb0.49 metal-oxide-semiconductor interface properties by using ultrathin In0.53Ga0.47As interfacial layers

著者

和文:	後藤高寛, Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.
英文:	Takahiro Gotow, Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

125 214504

出版年月

2019年6月7日

出版者

和文:
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会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
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DOI