Effects of impurity and composition profile steepness on electrical characteristics of GaAsSb/InGaAs heterojunction TFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effects of impurity and composition profile steepness on electrical characteristics of GaAsSb/InGaAs heterojunction TFETs

著者

和文:	後藤高寛, Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.
英文:	Takahiro Gotow, Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2016年9月27日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)

開催地

和文:
英文:	Tsukuba