Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile

著者

和文:	後藤高寛, Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.
英文:	Takahiro Gotow, Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)

開催地

和文:
英文:	Tokyo