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論文・著書情報


タイトル
和文:真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 
英文: 
著者
和文: 後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎.  
英文: Takahiro Gotow, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2013年8月 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:電子デバイス研究会 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

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