Ge/III-V 族化合物半導体を用いたトンネルFET技術 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Ge/III-V 族化合物半導体を用いたトンネルFET技術
英文:

著者

和文:	高木信一, 安大煥, 野口宗隆, 後藤高寛, 西康一, 金閔洙, 竹中充.
英文:	高木信一, 安大煥, 野口宗隆, Takahiro Gotow, 西康一, 金閔洙, 竹中充.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2017年1月30日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	電子情報通信学会 SDM研究会・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会「先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)」
英文:

開催地

和文:
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