Quantitative comparison of power-gating architectures for FinFET-based nonvolatile SRAM using spintronics retention technology

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Quantitative comparison of power-gating architectures for FinFET-based nonvolatile SRAM using spintronics retention technology

著者

和文:	Shuto, Y., 山本修一郎, Sugahara, S..
英文:	Shuto, Y., Shuichiro Yamamoto, Sugahara, S..

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	2015 4th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems, E3S 2015 - Proceedings

巻, 号, ページ

出版年月

2015年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI