3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low V<inf>ce(sat)</inf>
英文:
3D Scaling for Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Low Vce(sat)
著者
和文:
筒井 一生,
角嶋 邦之,
星井 拓也,
A. Nakajima,
S. Nishizawa,
若林 整,
宗田 伊理也,
K. Sato,
T. Matsudai,
W. Saito,
T. Saraya,
K. Itou,
M. Fukui,
S. Suzuki,
M. Kobayashi,
T. Takakura,
T. Hiramoto,
A. Ogura,
Y. Numasawa,
I. Omura,
大橋 弘通,
岩井 洋.
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