Performance enhancement of p-GaAsSb/InGaAs hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Performance enhancement of p-GaAsSb/InGaAs hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile

著者

和文:	後藤高寛, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi.
英文:	T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

126 214502

出版年月

2019年12月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: