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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Demonstration of 1200V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage with Superiorly Low Switching Loss 
著者
和文: T. Saraya, 伊藤 柊介, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, Y. Numasawa, K. Satoh, T. Matsudai, W. Saito, 角嶋 邦之, 星井 拓也, K. Furukawa, 渡辺 正裕, N. Shigyo, 筒井 一生, 岩井 洋, A. Ogura, S. Nishizawa, I. Omura, 大橋 弘通, T. Hiramoto.  
英文: T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, Y. Numasawa, K. Satoh, T. Matsudai, W. Saito, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura, S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, T. Hiramoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2018年12月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:International Electron Devices Meeting (IEDM2018) 
開催地
和文: 
英文:San Fransisco 

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