Normally-Off Sputtered-MoS2 nMISFETs with MoSi2 Contact by Sulfur Powder Annealing and ALD Al2O3 Gate Dielectric for Chip Level Integration

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Normally-Off Sputtered-MoS2 nMISFETs with MoSi2 Contact by Sulfur Powder Annealing and ALD Al2O3 Gate Dielectric for Chip Level Integration

著者

和文:	K. Matsuura, 濱田昌也, 濱田拓也, 谷川晴紀, 坂本拓朗, W. Cao, K. Parto, A. Hori, 宗田伊理也, 川那子高暢, 角嶋邦之, 筒井一生, A. Ogura, BANERJEE KAUSTAV, 若林整.
英文:	K. Matsuura, M. Hamada, T. Hamada, H. Tanigawa, T. Sakamoto, W. Cao, K. Parto, A. Hori, I. Muneta, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, K. Banerjee, H. Wakabayashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2019年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Int. Workshop on Juction Technology (IWJT2019)

開催地

和文:
英文:	Kyoto