AlGaN/GaN 界面準位が分極接合基板上 p-MOSFET の電流特性に与える影響

論文・著書情報

タイトル

和文:	AlGaN/GaN 界面準位が分極接合基板上 p-MOSFET の電流特性に与える影響
英文:

著者

和文:	鶴田脩真, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生.
英文:	Shuma Tsuruta, Takuya Hoshii, 中島昭, 西澤伸一, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年9月18日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第79回応用物理学会秋季学術講演会
英文:

開催地

和文:	名古屋
英文: