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タイトル
和文:n型SiCのエピタキシャル層の正孔ライフタイムがpnダイオード特性に与える影響 
英文: 
著者
和文: 佐々木 杏民, 星井 拓也, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 角嶋 邦之.  
英文: Kyomin Sasaki, Takuya Hoshii, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2018年9月18日 
出版者
和文: 
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会議名称
和文: 
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開催地
和文:名古屋 
英文: 

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