Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS2 Thin Channel Passivated by Al2O3 Film and TiN Top Gate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS2 Thin Channel Passivated by Al2O3 Film and TiN Top Gate

著者

和文:	松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 大橋匠, 宗田伊理也, S. Ishihara, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整.
英文:	K. Matsuura, J. Shimizu, M. Toyama, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, H. Wakabayashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings

巻, 号, ページ

pp. 104-106

出版年月

2018年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)

開催地

和文:
英文:	Kobe

DOI